Vai Samsung gatavojas ieņemt vadību viedtālruņu jomā? Apple, Nokia un Sony ir jāuztraucas. Samsung šodien paziņoja par nozarē pirmo 16 gigabitu (Gb) LPDDR5 mobilo DRAM, kas izmanto ekstrēmo ultravioleto (EUV) tehnoloģiju. Jaunais 10 Gb LPDDR1, kas izveidots, pamatojoties uz Samsung trešās paaudzes 16 nm klases (5z) procesu, lepojas ar visaugstāko mobilās atmiņas veiktspēju un lielāko ietilpību, lai nodrošinātu vairāk patērētāji lai izbaudītu visas 5G un AI funkciju priekšrocības nākamās paaudzes viedtālruņos.
Samsung Electronics is pasaules līderis progresīvo atmiņas tehnoloģiju jomā, šodien paziņoja, ka tā otrā ražošanas līnija Phjontaekā, Korejā, ir sācies masveida ražošana
“Uz 1z balstītais 16 Gb LPDDR5 paceļ nozari līdz jaunam slieksnim, pārvarot lielu attīstības šķērsli DRAM mērogošanas jomā progresīvos mezglos,” sacīja Jung-bae Lee, Samsung Electronics DRAM produktu un tehnoloģiju viceprezidents. “Mēs turpināsim paplašināt savu premium DRAM klāstu un pārsniegt klientu prasības, jo esam vadošā loma kopējā atmiņas tirgus pieaugumā.
Ātrākā, lielākās ietilpības mobilā atmiņa
Pamatojoties uz mūsdienu vismodernāko (1z) procesa mezglu, Samsung jaunais 16 Gb LPDDR5 ir pirmā atmiņa, kas tiek ražota masveidā, izmantojot EUV tehnoloģiju, nodrošinot lielāko ātrumu un lielāko mobilajā DRAM pieejamo jaudu.
Ar ātrumu 6,400 megabiti sekundē (Mb/s), jaunais LPDDR5 ir par aptuveni 16 procentiem ātrāks nekā 12 Gb LPDDR5 (5,500 Mb/s), kas atrodams lielākajā daļā mūsdienu mobilo ierīču. Ja LPDDR16 ir izveidots 5 GB pakotnē, tas vienā sekundē var pārsūtīt aptuveni 10 5 GB lieluma pilnas HD filmas vai 51.2 GB datu.
Pateicoties tam, ka tiek izmantots pirmais komerciālais 1z process, LPDDR5 pakotne ir par 30 procentiem plānāka nekā tā priekšgājējs, ļaujot 5G un vairāku kameru viedtālruņiem, kā arī salokāmām ierīcēm iekļaut vairāk funkcionalitātes plānā dizainā. 16 Gb LPDDR5 var izveidot 16 GB paketi tikai ar astoņām mikroshēmām, turpretim tā 1 gadu priekštecim ir nepieciešami 12 čipi (astoņas 12 Gb mikroshēmas un četras 8 GB mikroshēmas), lai nodrošinātu tādu pašu jaudu.
Piegādājot pirmo uz 1z balstītu 16 GB LPDDR5 pakete globālajiem viedtālruņu ražotājiem Samsung plāno vēl vairāk nostiprināt savu klātbūtni vadošo mobilo ierīču tirgū 2021. gadā. Samsung arī paplašinās savu LPDDR5 piedāvājumu automobiļu lietojumprogrammās, piedāvājot paplašinātu temperatūras diapazonu, lai atbilstu stingriem drošības un uzticamības standartiem ekstremālos gadījumos. vidi.
Ražošanas jaudas paplašināšana Pyeongtaek kompleksā
Aptver vairāk nekā 128,900 1.3 kvadrātmetrus (vairāk nekā XNUMX miljonus kvadrātpēdu) - līdzvērtīgs aptuveni 16 futbola laukumiem - Samsung Pyeongtaek Line 2 ir līdz šim lielākā pusvadītāju ražošanas līnija.
Jaunā Pyeongtaek līnija kalpos kā galvenais ražošanas centrs nozares progresīvākajām pusvadītāju tehnoloģijām, nodrošinot visprogresīvāko DRAM, kam seko nākamās paaudzes V-NAND un liešanas risinājumi, vienlaikus nostiprinot uzņēmuma vadību. in Rūpniecība 4.0 laikmets.
KAS IZŅEMT NO ŠĪ RAKSTA:
- Built on Samsung’s third-generation 10nm-class (1z) process, the new 16Gb LPDDR5 boasts the highest mobile memory performance and largest capacity to enable more consumers to enjoy the full benefits of 5G and AI features in next-generation smartphones.
- Thanks to its use of the first commercial 1z process, the LPDDR5 package is 30 percent thinner than its predecessor, enabling 5G and multi-camera smartphones as well as foldable devices to pack more functionality into a slim design.
- Pamatojoties uz mūsdienu vismodernāko (1z) procesa mezglu, Samsung jaunais 16 Gb LPDDR5 ir pirmā atmiņa, kas tiek ražota masveidā, izmantojot EUV tehnoloģiju, nodrošinot lielāko ātrumu un lielāko mobilajā DRAM pieejamo jaudu.
